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igbt模塊的結(jié)構(gòu)
日期：2025-11-23 08:48
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摘要：igbt模塊的結(jié)構(gòu)
一、igbt模塊的結(jié)構(gòu)與工作原理
igbt模塊通常由多個(gè)IGBT芯片、續(xù)流二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路以及散熱基板等組成，并封裝在一個(gè)緊湊的模塊中。其核心部件IGBT芯片采用縱向結(jié)構(gòu)，包含集電極、發(fā)射極和柵極三個(gè)電極。
IGBT的工作原理可以簡(jiǎn)單理解為通過(guò)柵極電壓控制集電極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)柵極施加正向電壓時(shí)，MOS結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電溝道，為BJT提供基極電流，使 IGBT導(dǎo)通；當(dāng)柵極電壓為零或負(fù)壓時(shí)，導(dǎo)電溝道消失，IGBT關(guān)斷。
二、igbt模塊的優(yōu)勢(shì)
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igbt模塊的結(jié)構(gòu)
一、igbt模塊的結(jié)構(gòu)與工作原理
igbt模塊通常由多個(gè)IGBT芯片、續(xù)流二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路以及散熱基板等組成，并封裝在一個(gè)緊湊的模塊中。其核心部件IGBT芯片采用縱向結(jié)構(gòu)，包含集電極、發(fā)射極和柵極三個(gè)電極。
IGBT的工作原理可以簡(jiǎn)單理解為通過(guò)柵極電壓控制集電極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)柵極施加正向電壓時(shí)，MOS結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電溝道，為BJT提供基極電流，使 IGBT導(dǎo)通；當(dāng)柵極電壓為零或負(fù)壓時(shí)，導(dǎo)電溝道消失，IGBT關(guān)斷。
二、igbt模塊的優(yōu)勢(shì)
高輸入阻抗，低驅(qū)動(dòng)功率： IGBT的柵極采用MOS結(jié)構(gòu)，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小，簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
低導(dǎo)通壓降，高電流密度： IGBT繼承了BJT 的低導(dǎo)通壓降特性，能夠承受較高的電流密度，降低導(dǎo)通損耗。
高開(kāi)關(guān)頻率，低開(kāi)關(guān)損耗： IGBT的開(kāi)關(guān)速度比 BJT 快，開(kāi)關(guān)損耗低，適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
模塊化設(shè)計(jì)，易于安裝維護(hù)：igbt模塊將多個(gè)芯片和電路集成在一起，結(jié)構(gòu)緊湊，便于安裝和維護(hù)。
