產品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達林頓）
- 東芝復合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅動模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應模塊
- IR可控硅
新聞詳情
IGBT模塊的結構與工作原理
日期：2025-11-18 19:46
瀏覽次數：72
摘要：IGBT模塊的結構與工作原理
一、IGBT模塊的結構與工作原理
IGBT模塊通常由多個 IGBT 芯片、續流二極管、驅動電路、保護電路以及散熱基板等組成，并封裝在一個緊湊的模塊中。其核心部件 IGBT 芯片采用縱向結構，包含集電極、發射極和柵極三個電極。
IGBT 的工作原理可以簡單理解為通過柵極電壓控制集電極和發射極之間的導通與關斷。當柵極施加正向電壓時，MOS 結構形成導電溝道，為 BJT 提供基極電流，使 IGBT 導通；當柵極電壓為零或負壓時，導電溝道消失，IGBT 關斷。
二、IGBT模...
IGBT模塊的結構與工作原理
一、IGBT模塊的結構與工作原理
IGBT模塊通常由多個 IGBT 芯片、續流二極管、驅動電路、保護電路以及散熱基板等組成，并封裝在一個緊湊的模塊中。其核心部件 IGBT 芯片采用縱向結構，包含集電極、發射極和柵極三個電極。
IGBT 的工作原理可以簡單理解為通過柵極電壓控制集電極和發射極之間的導通與關斷。當柵極施加正向電壓時，MOS 結構形成導電溝道，為 BJT 提供基極電流，使 IGBT 導通；當柵極電壓為零或負壓時，導電溝道消失，IGBT 關斷。
二、IGBT模塊的優勢
高輸入阻抗，低驅動功率： IGBT 的柵極采用 MOS 結構，輸入阻抗高，驅動功率小，簡化了驅動電路設計。
低導通壓降，高電流密度： IGBT 繼承了 BJT 的低導通壓降特性，能夠承受較高的電流密度，降低導通損耗。
高開關頻率，低開關損耗： IGBT 的開關速度比 BJT 快，開關損耗低，適用于高頻應用場合。
模塊化設計，易于安裝維護： IGBT 模塊將多個芯片和電路集成在一起，結構緊湊，便于安裝和維護。
